正面金属溅射沉积 (Metal Sputtering Deposition)

正面金屬濺鍍沈積 利用高真空的环境,将氩原子 (Ar) 解离后,产生二次电子和氩 (Ar) 离子,再利用靶材上的负电位,使氩 (Ar) 离子加速撞击靶材,使靶材上的金属沈积在芯片表面上。

ProPowertek宜锦能为您做什么?

Propowertek宜锦提供正面金属溅镀沈积  (Metal Sputtering Deposition),可制备焊垫金属层,如钛 / 镍钒/ 银 (Ti / NiV / Ag),定义焊垫图形。

金属溅镀沈积(Metal Sputtering Deposition)工艺

客户的晶圆在完成入站检验 (IQC) 后,按照客户指示之种类及厚度,进入溅镀机沈积金属(Sputtering)。完成金属沈积后,以客户指定之光罩图形,搭配黄光机台定义要留下的金属图形后 (PHOTO),进行金属蚀刻 (Metal Etching);最后,将光阻去除 (PR Strip) 后,出站检验(OQC)。

金属溅镀沈积(Metal Sputtering Deposition)工艺

Propowertek宜锦服务优势

  • 提供钛 /镍钒/ 银 (Ti / NiV / Ag) 对铝垫 (Al Pad) 的高选择比蚀刻,让露出的铝垫 (Al Pad) 减损厚度降到最低,以利客户可以进行Mix-bond作业,藉此可为客户降低后续封装成本。
  • 专业黄光工艺团队,协助客户检视Tape Out / Job File,无痛转移后续的光罩作业。
  • 工程师团队背景多元化,有来自前段晶圆代工厂、晶圆减薄专家、后端封装厂,熟悉前中后端之工艺整合及分析,能协助客户快速开发、解决问题、稳定量产。

 

案例分享

金属溅镀沈积 (Metal Sputtering Deposition) 

以金属溅镀沈积 (Metal Sputtering Deposition) 完成的正面金属化工艺,镍钒及钛的退缩 (Under Cut) 极小,达0.22um

图说:以金属溅镀沈积 (Metal Sputtering Deposition) 完成的正面金属化工艺,镍钒及钛的退缩 (Under Cut) 极小,达0.22um

客户可利用此工艺,进行后续的Clip bond或是Mix Bond

客户可利用此工艺,进行后续的Clip bond或是Mix Bond

 

在进行Mixed bond的时候,最大的问题是Gate pad要如何保护?

利用高选择比的蚀刻,可以确保Gate pad的铝厚度

原始Al-Cu pad 4.42um

原始Al-Cu pad 4.42um

低的选择比使Al-Cu Pad只有0.352um

低的选择比使Al-Cu Pad只有0.352um

高的选择比使Al-Cu pad达到4.35um

高的选择比使Al-Cu pad达到4.35um

应用范围

  • 现有金属组合:钛 / 镍钒 / 银 (Ti / NiV / Ag) ,可依客户需求进行厚度调整
  • 适用“八吋晶圆
  • 钛 / 镍钒 /银 (Ti / NiV / Ag) 成长的均匀性极佳
  • 极小Under Cut

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