晶圆减薄 (Wafer Thinning/Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)

晶圆减薄 利用研磨轮,进行快速而精密之研磨 (Grinding) 后,再去除因研磨产生的破坏层,并释放应力。

ProPowertek宜锦能为您做什么?

完整的BGBM工艺,第一步是晶圆减薄,在研磨 (Grinding) 及蚀刻后,可为客户提供厚度达到仅100um的厚度,并且移除破坏层,并且降低应力。

一般研磨 (Wafer thinning/Non-Taiko Grinding)流程

依照客户晶圆特性,与前段晶圆代工厂所生产的护层确认所需使用之胶带后,进行胶带贴附 (Taping);接着,进行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding),并在完成一般研磨后,进行晶背湿蚀刻 (Backside Wet Etching);最后,进行厚度量测 (Measurement)。

一般研磨 (Wafer thinning/Non-Taiko Grinding)流程

ProPowertek宜锦服务优势

 

案例分享

进行研磨及蚀刻后的晶圆

研磨后的晶圆

研磨后的晶圆

蚀刻后的晶圆

蚀刻后的晶圆

 

应用范围

  • 现有厚度组合: ≧100um,可依客户需求进行厚度调整
  • 适用八吋、六吋、P型 / N型晶圆

咨询邮箱

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