节能高效的最佳男主角-DR-MOS

“在电子组件追求轻薄短小的现今社会中,利用DR-MOS,将原先分离独立的三个组件,整合成一个组件,除了使得组件小型化以外,更有着用电效能提升及产品效能提升的好处。

 三合一节能组件-DR-MOS

-Doctor MOS-也称DR-MOS,是将驱动IC(Driver)、High Side MOS和Low Side MOS,利用四方平面无引脚封装(Quad Flat Non-leaded package,简称QFN)的封装技术,把三个分离的组件,整合成一个高度集成化组件的节能技术。

由于随技术发展, CPU/GPU对功率的要求,越来越高,与分离独立的组件相较,DR-MOS可大幅度降低寄生电容电感,进而降低开关损耗,实现卓越的效率。
 
DR-MOS架构图
图一:DR-MOS架构图

省电超频的DR-MOS

传统的CPU/GPU电源供应器,由于是高频电源转换,主要藉由PWM 控制器(Pulse Width Modulation controller)产出运作的频率(Pulse)给Driver,再利用Driver 去控制 High side/Low side MOSFET的开关 (如图一所示)。因此在传统做法上,需使用三颗IC: Driver、high side MOSFET、low side MOSFET,然而这三个独立的IC,分散在主板上,彼此间的信号传递路径很长,所以,操作频率无法太高,只能控制在200KHz-400KHz之间;因此若需在更高频 的环境下操作,是无法提供CPU/GPU足够的动态电流。

 

DR-MOS则是将Driver、High side MOSFET、Low side MOSFET,封装在一个QFN中,将大幅降低控制信号的传递路径,因此,将可提高操作频率,提至550KHz-850KHz之间,提供CPU/GPU足够的动态电流。

因此,使用DR-MOS的主板,在相同的散热条件下,温度及阻值更低,展现更好的用电效率、更省电;此外,透过DR-MOS的超低电源反应时间及低阻抗特性,主板也可会有更好的超频表现。

DR-MOS主要多用在CPU/GPU供电、服务器、数据库、5G等需要高频操作的应用。

 

传统架构与DR-MOS的比较

图二:传统架构与DR-MOS的比较

 

ProPowertek宜锦打造一站式薄化供应链,实现三合一DR-MOS组件

现今各家半导体厂不断想方设法将零件小型化外,更朝向高度积体化发展,DR-MOS这样的产品,就成了各家半导体厂发展的重点。ProPowertek宜锦拥有高度发展的正面金属化工艺(Front Side Metallization,简称FSM),可以将最终金属由铝(Al)转换为银(Ag)或金(Au),此外,ProPowertek宜锦成熟的薄化技术,已达量产50um 太鼓工艺(Taiko),并且可小量提供客户进行37.5um的工程验证。ProPowertek宜锦提供晶圆后工艺一站式整合服务,从太鼓(Taiko)减薄工艺,到背面金镀膜、芯片测试(Chip Probing)、真空贴片(Vacuum Mount)、太鼓环移除 (Ring Removal)、芯片切割(Die Sawing) 晶粒挑拣(Tape & Reel),让客户能够有完整的减薄供应链。

ProPowertek宜锦提供晶圆后端工艺一站式整合服务,从太鼓(Taiko)减薄工艺,到背面金镀膜、芯片测试(Chip Probing)、真空贴片(Vacuum Mount)、太鼓环移除 (Ring Removal)、芯片切割(Die Sawing) 到 晶粒挑拣(Tape & Reel),让客户能够有完整的减薄供应链。

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