节能高效的最佳男主角-DR-MOS
三合一节能组件-DR-MOS
由于随技术发展， CPU/GPU对功率的要求，越来越高，与分离独立的组件相较，DR-MOS可大幅度降低寄生电容电感，进而降低开关损耗，实现卓越的效率。
图一：DR-MOS架构图
省电超频的DR-MOS
传统的CPU/GPU电源供应器，由于是高频电源转换，主要藉由PWM 控制器(Pulse Width Modulation controller)产出运作的频率(Pulse)给Driver，再利用Driver 去控制 High side/Low side MOSFET的开关 (如图一所示)。因此在传统做法上，需使用三颗IC： Driver、high side MOSFET、low side MOSFET，然而这三个独立的IC，分散在主板上，彼此间的信号传递路径很长，所以，操作频率无法太高，只能控制在200KHz-400KHz之间；因此若需在更高频 的环境下操作，是无法提供CPU/GPU足够的动态电流。
DR-MOS则是将Driver、High side MOSFET、Low side MOSFET，封装在一个QFN中，将大幅降低控制信号的传递路径，因此，将可提高操作频率，提至550KHz-850KHz之间，提供CPU/GPU足够的动态电流。
因此，使用DR-MOS的主板，在相同的散热条件下，温度及阻值更低，展现更好的用电效率、更省电；此外，透过DR-MOS的超低电源反应时间及低阻抗特性，主板也可会有更好的超频表现。
DR-MOS主要多用在CPU/GPU供电、服务器、数据库、5G等需要高频操作的应用。
图二：传统架构与DR-MOS的比较
ProPowertek宜锦打造一站式薄化供应链，实现三合一DR-MOS组件
现今各家半导体厂不断想方设法将零件小型化外，更朝向高度积体化发展，DR-MOS这样的产品，就成了各家半导体厂发展的重点。ProPowertek宜锦拥有高度发展的正面金属化工艺(Front Side Metallization，简称FSM)，可以将最终金属由铝(Al)转换为银(Ag)或金(Au)，此外，ProPowertek宜锦成熟的薄化技术，已达量产50um 太鼓工艺(Taiko)，并且可小量提供客户进行37.5um的工程验证。ProPowertek宜锦提供晶圆后端工艺一站式整合服务，从太鼓(Taiko)减薄工艺，到背面金镀膜、芯片测试(Chip Probing)、真空贴片(Vacuum Mount)、太鼓环移除 (Ring Removal)、芯片切割(Die Sawing) 到 晶粒挑拣(Tape & Reel)，让客户能够有完整的减薄供应链。