晶背离子植入 (Backside Implantation)
图说：晶背离子植入示意图
ProPowertek宜锦能为您做什么？
针对薄晶圆的晶背进行离子植入，形成IGBT的集极 (collector)或是IGBT的场截止(Field stop)，目前台湾的8吋工厂中，仅有少部份公司可提供此项服务。
案例分享
图说：在晶背进行离子植入后，以SIMS检测离子浓度
应用范围
- 后端晶背 (back side) 的离子植入。
- 晶圆 : 8吋 Non-Taiko150 um、Taiko 150~50um。6吋150um开发中。
- 植入离子种类 (Implanter dopant): 硼 (B)、磷 (P)。视客户需求进行砷 (As)的开发。
- 植入离子能量： 2.4MeV，2.4 MeV~8 MeV工程验证中。
- 配合激光退火(Laser Annealing)机台为客户提供IGBT整体解决方案。可客制化不同的植入深度及活化深度。
