晶背离子植入 (Backside Implantation)

晶背离子植入
图说:晶背离子植入示意图

图说:晶背离子植入示意图

晶背离子植入是利用电浆把要植入的气体分子离子化,离子受电场加速前进,受磁场转弯,最后以高动能打入晶圆背面的浅层表面。使硅材质可以掺入3价离子形成P型或掺入5价离子形成N型半导体。

ProPowertek宜锦能为您做什么?

针对薄晶圆的晶背进行离子植入,形成IGBT的集极 (collector)或是IGBT的场截止(Field stop),目前台湾的8吋工厂中,仅有少部份公司可提供此项服务。

案例分享

在晶背进行离子植入后,以SIMS检测离子浓度

图说:在晶背进行离子植入后,以SIMS检测离子浓度

应用范围

  • 后端晶背 (back side) 的离子植入。
  • 晶圆 : 8吋 Non-Taiko150 um、Taiko 150~50um。6吋150um开发中。
  • 植入离子种类 (Implanter dopant): 硼 (B)、磷 (P)。视客户需求进行砷 (As)的开发。
  • 植入离子能量: 2.4MeV,2.4 MeV~8 MeV工程验证中。
  • 配合激光退火(Laser Annealing)机台为客户提供IGBT整体解决方案。可客制化不同的植入深度及活化深度。

游先生 / Stan Yu
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