晶圆后段工艺 (BGBM)
“在前段晶圆代工厂完成晶圆允收测试(WAT)后，
进行封装 (Assembly)，
如何进行晶圆减薄与背金成长(BGBM)？“
进行封装 (Assembly)，
如何进行晶圆减薄与背金成长(BGBM)？“
“好不容易完成了晶圆减薄与背金成长(BGBM)
，但后续又得将晶圆运送到其他地方做芯片测试 (Chip Probing)和切割(Die Sawing )，
有沒有一次就做到好的合作伙伴？“
，但后续又得将晶圆运送到其他地方做芯片测试 (Chip Probing)和切割(Die Sawing )，
有沒有一次就做到好的合作伙伴？“
Propowertek宜锦导入专业人才与先进工艺，
协助您最短时间内完成晶圆减薄与背金增长(BGBM)
- 多种研磨工艺解决方案
- 多种背金解决方案
- 背银厚度达15um甚至可客制化到40um及多种正面金属工艺解决方案
- 完整而广泛的一站式服务
服务特色
- 一站到位(One Stop)服务
正面金属化工艺Front Side Metallization Process
背面研磨工艺Back Side Grinding Process
背面金属化工艺Back Side Metallization Process
IGBT晶圆后端工艺IGBT Wafer Backend Process
- 其他服务
后端工艺完整解决方案Turnkey Solution for Backend Process
半导体制造流程
Propowertek宜锦科技结合创量科技，可提供从晶圆工艺处理一路到后端CP、WLCSP与DPS一站式解决方案(参见图内绿底绿字)。
服务项目
- 正面金属化工艺
- 背面研磨工艺
- 背面金属化工艺
- IGBT晶圆后端工艺
- 后端工艺完整解决方案
