晶圆后段工艺 (BGBM)

“在前段晶圆代工厂完成晶圆允收测试(WAT)后,
进行封装 (Assembly),
如何进行晶圆减薄与背金成长(BGBM)?“
“好不容易完成了晶圆减薄与背金成长(BGBM)
,但后续又得将晶圆运送到其他地方做芯片测试 (Chip Probing)和切割(Die Sawing ),
有沒有一次就做到好的合作伙伴?“

Propowertek宜锦导入专业人才与先进工艺,
协助您最短时间内完成晶圆减薄与背金增长(BGBM)

自动化生产
经验丰富
宜錦科技
客製化量產
設備完善 團隊專業
  • 多种研磨工艺解决方案
  • 多种背金解决方案
  • 背银厚度达15um甚至可客制化到40um及多种正面金属工艺解决方案
  • 完整而广泛的一站式服务

服务特色

  • 一站到位(One Stop)服务
正面金属化工艺
Front Side Metallization Process
背面研磨工艺
Back Side Grinding Process
背面金属化工艺
Back Side Metallization Process
IGBT晶圆后端工艺
IGBT Wafer Backend Process
  • 其他服务
后端工艺完整解决方案
Turnkey Solution for Backend Process
一站到位 (One-Stop) 服务

半导体制造流程

半导体制造流程
宜錦科技結合創量科技(舊名:標準科技),可提供從晶圓製程處理一路到後段CP、WLCSP與DPS一站式解決方案

Propowertek宜锦科技结合创量科技,可提供从晶圆工艺处理一路到后端CP、WLCSP与DPS一站式解决方案(参见图内绿底绿字)。

服务项目

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