激光退火(Laser Annealing)

激光退火
激光退火
激光退火(Laser Annealing)是利用聚焦后的小面积高能量激光,对晶背做快速的加热来达到浅层退火的目的。

Propowertek宜锦能为您做什么?

对晶背离子植入做退火,使植入离子活化,并修补因离子植入所造成的晶格破坏。由于加热时间很短,且集中在局部小区域,尽管高温达800~1100度C,但高温的深度只有数um而已, 另外正面的温度小于50度C,因此,此技术完全不会影响晶圆正面的组件。

Propowertek宜锦服务优势

Propowertek宜锦为台湾少数可以提供激光退火(Laser Annealing)工艺的服务提供商,使用之机台同时具备有绿光激光及远红外光激光双光源;搭配Propowertek宜锦相关工艺研发人员快速整合前端晶圆厂及中后端工艺整体需求,协助客户产品快速量产进入市场。

案例分享

图说:以激光退火活化植入离子后,使用SIMS进行「活化前后离子浓度分布」的比较。

图说:以激光退火活化植入离子后,使用SIMS进行「活化前后离子浓度分布」的比较。

應用範圍

  • 晶背(back side)的离子植入之后,以激光退火让离子活化。
  • 能处理6吋8吋薄晶圆 : Non-Taiko 150um以上、Taiko 150~50um。
  • 配合离子植入机台为客户提供IGBT整体解决方案,并可客制化不同的植入深度及活化深度。

咨询邮箱

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