激光退火(Laser Annealing)
Propowertek宜锦能为您做什么？
对晶背离子植入做退火，使植入离子活化，并修补因离子植入所造成的晶格破坏。由于加热时间很短，且集中在局部小区域，尽管高温达800~1100度C，但高温的深度只有数um而已, 另外正面的温度小于50度C，因此，此技术完全不会影响晶圆正面的组件。
Propowertek宜锦服务优势
Propowertek宜锦为台湾少数可以提供激光退火(Laser Annealing)工艺的服务提供商，使用之机台同时具备有绿光激光及远红外光激光双光源；搭配Propowertek宜锦相关工艺研发人员快速整合前端晶圆厂及中后端工艺整体需求，协助客户产品快速量产进入市场。
案例分享
图说：以激光退火活化植入离子后，使用SIMS进行「活化前后离子浓度分布」的比较。
應用範圍
- 晶背(back side)的离子植入之后，以激光退火让离子活化。
- 能处理6吋8吋薄晶圆 : Non-Taiko 150um以上、Taiko 150~50um。
- 配合离子植入机台为客户提供IGBT整体解决方案，并可客制化不同的植入深度及活化深度。
