宜锦晶圆减薄能力达1.5mil
2021-01-06
宜锦科技
随5G、物联网、电动车蓬勃发展，对于低功耗要求越来越高，功率半导体成为这些产业势不可挡的必备组件。Propowertek宜锦宣布，成功开发晶圆减薄达1.5mil(38um)技术，通过客户肯定，技术门坎大突破。
Propowertek宜锦指出，功率半导体进行「减薄」，一直都是改善工艺，使得功率组件实现「低功耗、低输入阻抗」最直接有效的方式。晶圆减薄除了有效减少后续封装材料体积外，还可因降低RDS(on)(导通阻抗)进而减少热能累积效应，以增加芯片的使用寿命。
但如何在减薄工艺中降低晶圆厚度，又同时兼顾晶圆强度，避免破片率居高不下之风险自晶圆减薄最大的风险。
为解决此风险，宜锦领先业界，已完成2mil(50um)、1.5mil(38um)，甚至到0.4mil(10um)减薄技术开发，Propowertek宜锦更藉由特殊的优化工艺，在降低晶圆厚度的同时，也兼顾晶圆强度，可将研磨损伤层(Damage layer)降到最低
图说：使用控片测得2mil、1.5 mil、1.5 mil优化条件后的损坏层厚度及TEM分析
以上与您分享Propowertek宜锦的最新技术，若您有相关需求，Propowertek宜锦可以配合您进行后续的工程开发，为您提供Power MOSFET/IGBT等组件的减薄工艺，欢迎洽询。
谢先生 / Felipe Hsieh
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