宜锦晶圆减薄能力达1.5mil

2021-01-06 宜锦科技

随5G、物联网、电动车蓬勃发展,对于低功耗要求越来越高,功率半导体成为这些产业势不可挡的必备组件。Propowertek宜锦宣布,成功开发晶圆减薄达1.5mil(38um)技术,通过客户肯定,技术门坎大突破。

Propowertek宜锦指出,功率半导体进行「减薄」,一直都是改善工艺,使得功率组件实现「低功耗、低输入阻抗」最直接有效的方式。晶圆减薄除了有效减少后续封装材料体积外,还可因降低RDS(on)(导通阻抗)进而减少热能累积效应,以增加芯片的使用寿命。

但如何在减薄工艺中降低晶圆厚度,又同时兼顾晶圆强度,避免破片率居高不下之风险自晶圆减薄最大的风险。


为解决此风险,宜锦领先业界,已完成2mil(50um)、1.5mil(38um),甚至到0.4mil(10um)减薄技术开发,Propowertek宜锦更藉由特殊的优化工艺,在降低晶圆厚度的同时,也兼顾晶圆强度,可将研磨损伤层(Damage layer)降到最低

 

 超薄切片技术

图说:使用控片测得2mil、1.5 mil、1.5 mil优化条件后的损坏层厚度及TEM分析

 


以上与您分享Propowertek宜锦的最新技术,若您有相关需求,Propowertek宜锦可以配合您进行后续的工程开发,为您提供Power MOSFET/IGBT等组件的减薄工艺,欢迎洽询。
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